010-82254950

FHR.Eoss 系列

型号

Star.500-Eoss Star.600-Eoss

图片

Star600

最大基片尺寸

直径:最大200mm

直径最大300mm或尺寸为280×330×50mm3

衬底材料

玻璃;半导体

玻璃;半导体

基片传输模式

盒式进样室包含20个载片位置

盒式进样室包含2*15个载片位置

溅射靶位

3

4

RF等离子源

1

1

极限真空

1×10-6mbar

1×10-6mbar

膜厚均匀性

±0.25%

±0.25%

基片加热温度

200

200

在线监测

实时分光仪(UV-VIS-IR)

实时分光仪(UV-VIS-IR)

工艺气体

氩气(Ar)氧气(O2)氮气(N2),其他气体按需提供

氩气(Ar)氧气(O2)氮气(N2),其他气体按需提供

设备尺寸

5.0m(197”) ×5.0m(197”)×3.2m(126”),12t

7.6m(299”)×5.1m(201”)×4.14m(163”),14t

典型应用

MF模式双圆柱磁控管制备折射率氧化物,如Nb2O5,Ta2O5

MF模式双圆柱磁控管制备低折射率氧化物,如SiO2

RF模式平面磁控管陶瓷靶制备介质膜

多层光学薄膜高达500层

MF模式双圆柱磁控管制备折射率氧化物,如Nb2O5,Ta2O5

MF模式双圆柱磁控管制备低折射率氧化物,如SiO2

RF模式平面磁控管陶瓷靶制备介质膜

多层光学薄膜高达500层