FHR.Eoss 系列
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型号 |
Star.500-Eoss | Star.600-Eoss |
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最大基片尺寸 |
直径：最大200mm |
直径最大300mm或尺寸为280×330×50mm3 |
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衬底材料 |
玻璃；半导体 |
玻璃；半导体 |
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基片传输模式 |
盒式进样室包含20个载片位置 |
盒式进样室包含2*15个载片位置 |
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溅射靶位 |
3 |
4 |
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RF等离子源 |
1 |
1 |
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极限真空 |
1×10-6mbar |
1×10-6mbar |
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膜厚均匀性 |
±0.25% |
±0.25% |
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基片加热温度 |
200℃ |
200℃ |
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在线监测 |
实时分光仪（UV-VIS-IR） |
实时分光仪（UV-VIS-IR） |
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工艺气体 |
氩气（Ar）氧气（O2）氮气（N2），其他气体按需提供 |
氩气（Ar）氧气（O2）氮气（N2），其他气体按需提供 |
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设备尺寸 |
5.0m(197”) ×5.0m(197”)×3.2m(126”),12t |
7.6m(299”)×5.1m(201”)×4.14m(163”),14t |
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典型应用 |
MF模式双圆柱磁控管制备折射率氧化物，如Nb2O5,Ta2O5 MF模式双圆柱磁控管制备低折射率氧化物，如SiO2 RF模式平面磁控管陶瓷靶制备介质膜 多层光学薄膜高达500层 |
MF模式双圆柱磁控管制备折射率氧化物，如Nb2O5,Ta2O5 MF模式双圆柱磁控管制备低折射率氧化物，如SiO2 RF模式平面磁控管陶瓷靶制备介质膜 多层光学薄膜高达500层 |
