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地址：北京市石景山区八大处路49号院1号楼层903室
发布时间：2024-02-27 21:12:38 浏览次数：181次
设备详情：
立式熔炉分批原子层沉积
基底尺寸：4 ~ 12”标准（晶片）
产品晶片：25个/50个（最多100个）
船槽间距：10 ~ 15mm
用于晶片装载的船升降系统
上/下和晶片旋转
手动/自动晶片转移
加热炉：区域温度控制
工艺流程温度：400℃ ~ 800℃
上升：> 10 ℃/min
下降：2 ~ 3.3 ℃/min
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